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當前位置：首頁產品中心實驗室搭建PECVD 射頻模塊上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

產品簡介

上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單，與傳統CVD系統比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。

產品型號：
更新時間：2023-12-21
廠商性質：生產廠家
訪問量：1174
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品牌鄭科探應用領域電子

PECVD簡介

   上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。

  上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單，與傳統CVD系統比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。

上海實驗室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

KT-PE150S  性能參數

型號

KT-PE150S

KT-PE500Z

信號頻率

13.56MHz±0.005%

功率輸出范圍

0-150W

0-500W

功率穩定度

≤5W

最大反射功率

40W

射頻輸出接口

7/16,female  50 Ω

功率穩定度

≤5W

匹配方式

手動調節匹配

500W自動匹配

耦合方式

電感式耦合

輝光壓力

≤30Pa

供電電壓

50/60Hz 220v±10%

整機效率

≥70%

冷卻方式

強制風冷

支持爐管直徑

φ25-φ80

φ25-φ150

感應區

210mm

整機重量

48KG

整機尺寸:H x W x D(mm)

600 x 600x 1100



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