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Product Center當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650PVD三氧化二鋁磁控濺射儀
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD為臺(tái)式磁控濺射鍍膜機(jī)在較短時(shí)間內(nèi)即可形成具有細(xì)粒度的均勻薄膜。儀器結(jié)構(gòu)緊湊,全自動(dòng)控制。利用直流磁控濺射和射頻磁控濺射技術(shù),進(jìn)行某傳感器基底Al2O3薄膜絕緣層的制備工藝及性能研究,對(duì)于指導(dǎo)薄膜傳感器工藝設(shè)計(jì)及應(yīng)用的快速發(fā)展,具有十分重要的理論意義及較好的工程應(yīng)用價(jià)值。
品牌 | 鄭科探 | 濺射氣體 | 根據(jù)需求氣體 |
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控制方式 | φ50 | 樣品倉(cāng)尺寸 | φ160x160mm |
靶材尺寸 | 50mm | 靶材材質(zhì) | 金 鉑 銅 銀 |
價(jià)格區(qū)間 | 1-5萬(wàn) | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
O2流量為0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時(shí)直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密,常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態(tài)?! ≡趩我蛩卦囼?yàn)研究的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)正交試驗(yàn),繼續(xù)深入研究直流、射頻方法下,濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的綜合變化對(duì)Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響,并對(duì)正交試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行極差與方差分析。獲取了較優(yōu)的直流、射頻薄膜制備工藝參數(shù)并進(jìn)行薄膜的制備,對(duì)制備薄膜的沉積時(shí)間、薄膜表面粗糙度、薄膜的復(fù)合硬度進(jìn)行檢測(cè)并對(duì)比分析,選定了優(yōu)化后的直流濺射工藝參數(shù)并實(shí)施Al2O3薄膜的制備。通過(guò)對(duì)制備的薄膜進(jìn)行掃描電鏡觀測(cè)和能譜檢測(cè),驗(yàn)證了所選工藝參數(shù)的合理性。對(duì)常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進(jìn)行退火處理,測(cè)試分析退火溫度對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)影響,結(jié)果表明:與常溫制備薄膜相比,退火溫度800℃時(shí)出現(xiàn)γ-Al2O3晶體結(jié)構(gòu),奧氏體相消失,退火溫度1000℃時(shí)出現(xiàn)α-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)和金屬間化合物AlFe。 利用薄膜傳感器的結(jié)構(gòu)要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法,得出了濺射靶功率、O2流量、工作氣壓、負(fù)偏壓和本底真空度等因素對(duì)直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規(guī)律,改進(jìn)并優(yōu)化了Al2O3薄膜制備工藝,結(jié)合退火工藝得出了退火溫度對(duì)Al2O3薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD
應(yīng)用領(lǐng)域:
離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛,通過(guò)向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象,并提高觀測(cè)效率,另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳,實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù);
控制方式 | 7寸人機(jī)界面 手動(dòng) 自動(dòng)模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機(jī)械泵 ≤5Pa(5分鐘) 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺(tái) | 可旋轉(zhuǎn)φ62 (可安裝φ50基底) |
樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速 | 8轉(zhuǎn)/分鐘 |
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離 | 40-105mm |
真空測(cè)量 | 皮拉尼真空計(jì)(已安裝 測(cè)量范圍10E5Pa 1E-1Pa) |
預(yù)留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口 |